用于中功率应用的功率封装,设计用于低导通电阻和高速开关mosfet

PQFN(功率四平无铅)是一种高效节省空间的封装,设计用于广泛的高功率应用。作为当今电力电子世界的“智能电源”选项,PQFN是标准低功率锯切QFN封装的一个步骤,同时比其他电源分立封装更灵活(IC控制模集成设计)。

特性

  • 节省空间的设计范围从3 × 3毫米到8 × 8毫米的车身尺寸
  • 非常低的寄生和电感导致世界级的封装水平RDS(on)
  • 优异的电磁干扰性能和优异的热性能
  • 许多多模,多夹与电线的变化可用
  • 能够支持多种GaN应用/解决方案
  • 无铅电镀和无卤素模具化合物
  • 可湿式侧面选择,非常适合汽车市场
  • 包可与双暴露散热器选项

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