弥补TSV与传统WLFO/FOWLP之间的差距

我们屡获殊荣的晶圆集成扇出技术(SWIFT®/HDFO)技术旨在提供增加的I/O和电路密度在减少占地面积和剖面单模和多模应用。

公司迅速

斯威夫特®该技术可以创建先进的3D结构,解决新兴移动和网络应用中增加集成电路的需求。SWIFT的鲜明特点®部分是由于与这种创新晶圆级封装技术相关的优良功能。这允许咄咄逼人设计规则要应用,而不是传统的WLFO和laminate-based总成。

独特的迅速®功能包括:

  • 聚合物电介质
  • 多模和大模能力
  • 大体封装能力
  • 互连密度小于2/2 μm
  • 铜柱模具互连至30 μm间距
  • 3 d /Package-on-Package通过模具通过(TMV)的能力®)或高大的铜柱
  • 满足JEDEC MSL2a和MSL3 CLR和BLR要求

SWIFT使能技术®包装:

关键的组装技术使这些独特的SWIFT得以创建®特性。使用步进照相成像设备,可实现2/2 μm线/空间特征,实现SoC分区和网络应用所需的高密度模对模连接2.5 d TSV通常会被使用。细间距模具微凸块为高级产品提供高密度互连,如应用处理器和基带设备。此外,高大的铜柱可以提供高密度的垂直接口,用于在SWIFT顶部安装高级内存设备®结构。

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