桥接TSV和传统WLFO / FOWLP之间的差距

我们屡获殊荣的硅晶圆集成扇出技术(SWIFT®/ HDFO)技术旨在在减少的占地面积和轮廓内提供增加的I / O和电路密度,用于单芯和多模应用。

迅速®技术使得能够创建高级3D结构,解决了在新兴移动和网络应用中增加了IC集成的需求。Swift的独特特征®部分原因是与这种创新晶圆级封装技术相关的精细特征能力。这允许侵略性设计规则要应用,与传统相比WLFO和层压板组件。

独特的迅速®功能包括:

  • 聚合物电介质
  • 多模和大管能力
  • 大型身体包装能力
  • 互连密度降至2/2μm
  • CU Parkar.模具互连下降到30μm间距
  • 3D /包装上的包装通过模具通过模具(TMV®)或高铜柱
  • 符合JEDEC MSL2A和MSL3 CLR和BLR要求

使技术支持SWIFT®包装:

主要装配技术使得这些独特的迅速的创造能够创造®特征。使用步进照片成像设备,可以实现2/2μm线/空间特征,从而实现SoC分区和网络应用所需的非常高密度的模具连接2.5D TSV.通常会使用。细间距模具微凸块为先进产品提供高密度互连,例如应用处理器和基带设备。此外,高铜柱使高密度垂直界面能够在Swift顶部安装高级存储器件®结构体。

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