桥接TSV和传统WLFO / FOWLP之间的差距

我们屡获殊荣的硅晶圆集成扇出技术(SWIFT®/ HDFO)技术旨在在减少的占地面积和轮廓内提供增加的I / O和电路密度,用于单芯和多模应用。

斯威夫特的独特特征部分是与这种创新晶圆级包装技术相关的精细特征能力。这允许侵略性设计规则要应用,与传统相比WLFO.和层压板组件。此外,Swift还可以创建高级3D结构,以解决新兴移动和网络应用中增加IC集成的需求。

独特的SWIFT功能包括:

  • 基于聚合物的电介质
  • 多模和大管能力
  • 大包装体能力
  • 互连密度低至2μm线/空间(对于SoC分区应用至关重要)
  • CU Parkar.模具互连下降到30μm间距
  • 3D /包装上的包装通过模具通过模具(TMV®)或高铜柱
  • 符合JEDEC MSL3 CLR和BLR要求

关键组装技术可以创建这些独特的SWIFT功能。使用步进照片成像设备,可以实现2/2μm线/空间特征,从而实现SoC分区和网络应用所需的非常高密度的模具连接2.5D TSV.通常会使用。细间距模具微凸块为先进产品提供高密度互连,例如应用处理器和基带设备。此外,高铜柱使高密度垂直界面能够在Swift结构的顶部安装高级存储器件。

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