낮은온——저항과고속스위칭MOSFET용으로설계된
중전력애플리케이션에적합한전력패키지입니다。
PQFN(权力扁平无铅)은효율적으로공간을절약하여다양한고전력애플리케이션을위해적합하게설계된패키지입니다。PQFN은오늘날의전력전자분야에서중요한옵션인”스마트전력”을위한패키지로서,일반적인저전력锯QFN패키지보다한단계높은수준이며,디자인시다른功率离散패키지보다더유연합니다。
특징
- 패키지크기:3 ~ 8 x 8毫米x 3毫米
- 인터커넥트옵션3가지
- 매우낮은인덕턴스로세계최고수준의패키지레벨RDS(上)달성
- 우수한전자파간섭(EMI)차폐와방열성능
- 멀티다이,멀티클립및다양한와이어타입이가능
- 다양한GaN애플리케이션/솔루션지원가능
- 무연도금및할로겐프리몰드컴파운드
问&
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