斯威夫特的特色包括:
- 聚合物基电介质
- 多晶粒和大晶粒封装
- 大体积封装
- 互连密度缩小至2微米节距(SoC划分应用的关键)
- 铜柱晶片互连缩小至 30 微米间距
- 3 d /层叠封装功能采用穿塑通孔(烟草花叶病毒®) 或高铜柱
- 符合电平MSL3 CLR和BLR的要求
关键封装技术让此类独特的斯威夫特功能成为可能。通过步进式成像设备实现2/2微米间距,以及SoC划分和网络应用中的极高密度晶片连接,此类芯片通常会采用2.5 d TSV。小间距晶片微凸块为先进产品提供高密度互连，例如，处理器和基带设备等。除此以外,高铜柱实现高密度垂直接口,以便于在迅速结构顶部贴装先进的储存器设备。
