以电气方式连接多晶粒的封装技术

公司积极,有策略地推进芯片内建芯片(CoC)的研究和开发。CoC (DSBGA / DSMBGA)的设计无需硅通孔(TSV)而以电气方式连接多晶片。小微于100米的面对面小间距倒装芯片互连实现了电气互连。母晶片通过倒装芯片凸块或焊线与封装相连,一般以粗间距与封装匹配。两个(或更多)晶片能以更快的速度更高效地传输,采用更高频率带宽,并减小电阻(R),电感(L)和电容电阻,而成本比TSV更低。

在焊线封装互连中, CoC通过母晶粒上的外围焊线连接至封装基板

CoC也可以通过负鼠™方式连接。通过此方式,母晶片以小于 100 微米的小间距倒装芯片互连和粗节距凸块与封装基板互连。子晶片经过减薄以填充封装组装期间的空隙。负鼠™方式的附加优点则缩短CoC和整体封装的Z轴高度。

公司的晶圆上芯片(牛)是CoC的补充,它可以让母晶圆无需被切割。而且,此类母晶圆能被用作布满切割子晶粒的基板。除了CoC的众多优点,牛还提供简化后勤和芯片组测试的附加功能。它支持 200 和 300 毫米,以及各种晶粒尺寸和芯片堆叠厚度。

公司通过微传感器、汽车微控制器,无线,光电和移动领域各种应用中的CoC技术为大量产品提供支持。

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