满足高性能、低能耗需求
硅通孔(TSV)互连为了顺应各种2.5 d TSV和3 d TSV封装应用和架构而生,此类应用及架构需要以最低的能耗/性能指标提供极高的性能和功能。要让在2.5 d / 3 d TSV架构内使用TSV成为可能,我们已开发出多种后端技术平台,以实现对TSV晶圆进行大批量加工和组装。公司的TSV晶圆制程首先采用已形成TSV的300毫米晶圆。我们的晶圆制程对晶圆进行减薄,然后以背面(BS)金属化完成TSV互连。硅通孔露出和背面金属化工艺流程一般被称为中段制程(MEOL)。公司并不提供晶圆制造过程中的TSV形成工艺。
公司的MEOL制造工具和工艺包括:
- 晶圆支持焊接和拆焊
- TSV晶圆减薄
- TSV露出和CMP
- 背面钝化
- 在必要时重新布线
- 微柱无铅电镀和C4互连
- 适用于TSV产品的晶圆级探针和中期组装测试
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