电和热性能优化功率封装
PowerCSP™是一种芯片级功率晶体管封装。它具有简单的结构，出色的电和热性能，以及能克服分立或集成封装挑战的高密度外观规格。
该封装的特性：
- 导电材料的封装件的30-70％的体积内的高百分比
- 兼容CMOS，氮化镓和碳化硅
- 双面功率封装中的定制和标准引脚布局
- 直接连接源极和漏极到印刷电路板
- 集成功率构件
- 比其他分立封装的电阻（RDS）和电感（LDS）更低，并且具有更出色的电容（CISS）性能
- 减少热和电接口
- 缩小外观规格，芯片级封装（CSP）
全新开发
- 与传统分立封装相比，消除产生损耗的接口
- 最大程度扩大源极和漏极的连接面积
- 简单的封装结构，消除夹片和线路，以实现源极/漏极/门极的直接连接
应用
PowerCSP™适用于功率应用，且专为低导通电阻
和高速切换式MOSFET而量身定制，例如：
- 直流 - 直流转换
- 电动和混合电动汽车
- 电信/数据中心
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